利用反射光谱和光致发光谱，对选取氢化物气相表延法（HVPE）和分子束表延法（MBE）成长GaN样品的光学性质进行了钻研
。由反射光谱得出样品的膜厚和禁带宽，同时也说了然HVPE法成长GaN的速度快于MBE法
。而通过分歧积分功夫下的光致发光谱的分析，能够看出MBE造备样品中没有显著的黄带发光景象，并且带边发光峰光强比HVPE样品强，初步结论是MBE比HVPE造备样品质量好
。