由于在切割好的多晶硅片和抛光后的单晶硅片的过程中所产生的危险会被酸性混合溶液侵蚀。该混合物中蕴含氢氟酸，硝酸，与去离子水，而磷酸或硫酸则作为稀释剂。在侵蚀刚起头的阶段，由于硅片切割时产生的表表裂缝，转化深和长的坑。这种坑所产生的反射是很低的。然而，由于进行酸侵蚀败坏的表表区域之表，更多的反射，泡沫般的侵蚀绒面获得。