1.1真空镀膜vacuumcoating：在处于真空下的基片上造取膜层的一种步骤
。

1.2基片substrate：膜层接受体
。

1.3试验基片testingsubstrate：在镀膜起头、镀膜过程中或镀膜实现后用作丈量和(或)试验的基片
。

1.4镀膜资料coatingmaterial：用来造取膜层的原资料
。

1.5蒸发资料evaporationmaterial：在真空蒸发中用来蒸发的镀膜资料
。

1.6溅射资料sputteringmaterial：有真空溅射中用来溅射的镀膜资料
。

1.7膜层资料(膜层材质)filmmaterial：组成膜层的资料
。

1.8蒸发速度evaporationrate：在给按功夫距离内,蒸发出来的资料量,除以该功夫距离

1.9溅射速度sputteringrate：在给按功夫距离内,溅射出来的资料量,除以该功夫距离
。

1.10沉积速度depositionrate：在给按功夫距离内,沉积在基片上的资料量,除以该功夫距离和基片表表积
。

1.11镀膜角度coatingangle：入射到基片上的粒子方向与被镀表表法线之间的夹角
。

2工艺

2.1真空蒸膜vacuumevaporationcoating：使镀膜资料蒸发的真空镀膜过程
。

2.1.1同使佤发simultaneousevaporation：用数个蒸发器把各类蒸发资料同使佤镀到基片上的真空蒸发
。

2.1.2蒸发场蒸发evaporationfieldevaporation：由蒸发场同使佤发的资料到基片上进行蒸镀的真空蒸发(此工艺利用于大面积蒸发以获得到梦想的膜厚散布)
。

2.1.3反映性真空蒸发reactivevacuumevaporation：通过与气体反映获得梦想化学成分的膜层资料的真空蒸发
。

2.1.4蒸发器中的反映性真空蒸发reactivevacuumevaporationinevaporator：与蒸发器中各类蒸发资料反映,而获得梦想化学成分膜层资料的真空蒸发
。

2.1.5直接加热的蒸发directheatingevaporation：蒸发资料蒸发所必须的热量是对蒸发资料(在坩埚中或不用坩埚)自身加热的蒸发
。

2.1.6感应加热蒸发inducedheatingevaporation：蒸发资料通过感应涡流加热的蒸发
。

2.1.7电子束蒸发electronbeamevaporation：通过电子轰击使蒸发资料加热的蒸发
。

2.1.8激光束蒸发laserbeamevaporation：通过激光束加热蒸发资料的蒸发
。

2.1.9间接加热的蒸发indirectheatingevaporation：在加热装置(例如幼舟形蒸发器,坩埚,灯丝,加热板,加热棒,螺旋线圈等)中使蒸发资料获得蒸发所必须的热量并通过热传导或热辐射方式传递给蒸发资料的蒸发
。

2.1.10闪蒸flashevaportion：将极少量的蒸发资料间断地做瞬时的蒸发
。

2.2真空溅射vacuumsputtering：在真空中
，惰性气体离子从靶表表上轰击出原子(分子)或原子团的过程
。

2.2.1反映性真空溅射reactivevacuumsputtering：通过与气体的反映获得梦想化学成分的膜层资料的真空溅射
。

2.2.2偏压溅射biassputtering：在溅射过程中
，将偏压施加于基片以及膜层的溅射
。

2.2.3直流二级溅射directcurrentdiodesputtering：通过二个电极间的直流电压
，使气体矜持放电并把靶作为阴极的溅射
。

2.2.4非对称性互换溅射asymmtricalternatecurrentsputtering：通过二个电极间的非对称性互换电压
，使气体矜持放电并把靶作为吸收较大正离子流的电极
。

2.2.5高频二极溅射highfrequencydiodesputtering：通过二个电极间的高频电压获得高频放电而使靶极获得负电位的溅射
。

2.2.6热阴极直流溅射(三极型溅射)hotcathodedirectcurrentsputtering：借助于热阴极和阳极获得非矜吃禅体放电
，气体放电所产生的离子
，由在阳极和阴极(靶)之间所施加的电压加快而轰击靶的溅射
。

2.2.7热阴极高频溅射(三极型溅射)hotcathodehighfrequencysputtering：借助于热阴极和阳极获得非矜吃禅体放电
，气体放电产生的离子
，在靶表表负电位的作用下加快而轰击靶的溅射
。

2.2.8离子束溅射ionbeamsputtering：利用特殊的离子源获得的离子束使靶的溅射
。

2.2.9辉光放电洗濯glowdischargecleaning：利用辉光放电道理
，使基片以及膜层表表经受气体放电轰击的洗濯过程
。

2.3物理气相沉积;PVDphysicalvapordeposition：在真空状态下
，镀膜资料经蒸发或溅射等物理步骤气化
，沉积到基片上的一种造取膜层的步骤
。

2.4化学气相沉积;CVDchemicalvapordeposition：肯定化学配比的反映气体
，在特定激活前提下(通常是肯定高的温度)
，通过气相化学反映天生新的膜层资料沉积到基片上造取膜层的一种步骤
。

2.5磁控溅射magnetronsputtering：借助于靶表表上形成的正交电磁场
，把二次电子约束在靶表表特定区域
，来加强电离效能
，增长离子密度和能量
，因而可在低电压
，大电流下获得很高溅射速度
。

2.6等离子体化学气相沉积;PCVDplasmachemistryvapordeposition：通过放电产生的等离子体推进气相化学反映
，在低温下
，在基片上造取膜层的一种步骤
。

2.7空心阴极离子镀HCDhollowcathodedischargedeposition：利用空心阴极发射大量的电子束
，使坩埚内镀膜资料蒸发并电离
，在基片上的负偏压作用下
，离子拥有较大能量
，沉积在基片表表上的一种镀膜步骤
。

2.8电弧离子镀arcdischargedeposition：以镀膜资料作为靶极
，借助于触发装置
，使靶表表产生弧光放电
，镀膜资料在电弧作用下
，产生无熔池蒸发并沉积在基片上的一种真空镀膜步骤
。

3专用部件

3.1镀膜室coatingchamber：真空镀膜设备中执行现实镀膜过程的部件

3.2蒸发器装置evaporatordevice：真空镀膜设备中蕴含蒸发器和全数为其工作所必要的装置(例如电能供给、供料和冷却装置等)在内的部件
。

3.3蒸发器evaporator：蒸发直接在其内进行蒸发的装置,例如幼舟形蒸发器,坩埚,灯丝,加热板,加热棒,螺旋线圈等等,必要时还蕴含蒸发资料自身
。

3.4直接加热式蒸发器evaporatorbydirectheat：蒸发资料自身被加热的蒸发器
。

3.5间接加热式蒸发器evaporatorbyindirectheat：蒸发资料通过热传导或热辐射被加热的蒸发器
。

3.6蒸发场evaporationfield：由数个分列的蒸发器加热一样蒸发资料形成的场
。

3.7溅射装置sputteringdevice：蕴含靶和溅射所必要的辅助装置(例如供电装置,气体导入装置等)在内的真空溅射设备的部件
。

3.8靶target：用粒子轰击的面
。本尺度中靶的意思就是溅射装置中由溅射资料所组成的电极
。

3.9挡板shutter：用来在功夫上和(或)空间上限度镀膜并借此能达到肯定膜厚散布的装置
。挡板可所以固定的也可所以活动的
。

3.10时控挡板timingshutter：在功夫上能用来限度镀膜,因而从镀膜的起头、中断到实现都能按规按时刻进行的装置
。

3.11掩膜mask：用来遮蔽部门基片,在空间上能限度镀膜的装置
。

3.12基片支架substrateholder：可直接夹持基片的装置,例如夹持装置,框架和类似的夹吃祺具
。

3.13夹紧装置clamp：在镀膜设备中用或不用基片支架支承一个基片或几个基片的装置,例如夹盘,夹鼓,球形夹罩,夹篮等
。夹紧装置可所以固定的或活动的(旋转架,行星齿轮系等)
。

3.14换向装置reversingdevice：在真空镀膜设备中,不打开设备能将基片、试验玻璃或掩膜放到梦想地位上的装置(基片换向器,试验玻璃换向器,掩膜换向器)
。

3.15基片加热装置substrateheatingdevice：在真空镀膜设备中,通过加热能使一个基片或几个基片达到梦想温度的装置
。

3.16基片冷却装置substratecoldingdevice：在真空镀膜设备中,通过冷却能使一个基片或几个基片达到梦想温度的装置
。

4真空镀膜设备

4.1真空镀膜设备vacuumcoatingplant：在真空状态下造取膜层的设备
。

4.1.1真空蒸发镀膜设备vacuumevaporationcoatingplant：借助于蒸发进行真空镀膜的设备
。

4.1.2真空溅射镀膜设备vacuumsputteringcoatingplant：借助于真空溅射进行真空镀膜的设备
。

4.2陆续镀膜设备continuouscoatingplant：被镀膜物件(单件或带材)陆续地从大气压经过压力梯段进入到一个或数个镀膜室
，再经过相应的压力梯段
，持续脱离设备的陆续式镀膜设备
。

4.3半陆续镀膜设备semi-continuouscoatingplant：被镀物件通过闸门送进镀膜室并从镀膜室取出的真空镀膜设备
。