真空镀膜中常用的步骤有真空蒸发和离子溅射。真空蒸发镀膜是在真空度不低于10-2Pa的环境中
，用电阻加热或电子束和激光轰击等步骤把要蒸发的资料加热到肯定温度
，使资料中分子或原子的热振动能量超过表表的约束能
，从而使大量分子或原子蒸发或升华
，并直接沉淀在基片上形成薄膜。离子溅射镀膜是利用气体放电产生的正离子在电场的作用下的高速活动轰击作为阴极的靶
，使靶材中的原子或分子逸出来而沉淀到被镀工件的表表
，形成所必要的薄膜。

　　真空蒸发镀膜最常用的是电阻加热法
，其利益是加热源的结构单一
，造价便宜
，操作方便;弊端是不合用于难熔金属和耐高温的介质资料。电子束加热和激光加热则能克服电阻加热的弊端。电子束加热上利用聚焦电子束直接对被轰击资料加热
，电子束的动能造成热能
，使资料蒸发。激光加热是利用大功率的激光作为加热源
，但由于大功率激光器的造价很高
，目前只能在少数钻研性尝试室中使用。

　　溅射技术与真空蒸发技术有所分歧。“溅射”是指荷能粒子轰击固体表表(靶)
，使固体原子或分子从表表射出的景象。射出的粒子大多呈原子状态
，常称为溅射原子。用于轰击靶的溅射粒子可所以电子
，离子或中性粒子
，由于离子在电场下易于加快获得所必要动能
，因而多数选取离子作为轰击粒子。溅射过程成立在辉光放电的基础上
，即溅射离子都起源于气体放电。分歧的溅射技术所选取的辉光放电方式有所分歧。直流二极溅射利用的是直流辉光放电;三极溅射是利用热阴极支持的辉光放电;射频溅射是利用射频辉光放电;磁控溅射是利用环状磁场节造下的辉光放电。

　　溅射镀膜与真空蒸发镀膜相比
，有很多利益。如任何物质均能够溅射
，尤其是高熔点
，低蒸气压的元素和化合物;溅射膜与基板之间的附着性好;薄膜密度高;膜厚可节造和沉复性好等。弊端是设备比力复杂
，必要高压装置。

　　此表
，将蒸发法与溅射法相结合
，即为离子镀。这种步骤的利益是得到的膜与基板间有极强的附着力
，有较高的沉积速度
，膜的密度高。

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