一、镀膜技术可分辨为那几类?

可分辨为：

(1)真空蒸镀

(2)电镀

(3)化学反映

(4)热处置

(5)物理或机械处置

二、常用的真空助浦有那几种?合用的抽气领域为何?

真空助浦可分：(1)机械助浦(2)扩散助浦(3)涡轮助浦(4)吸附助浦(5)吸着助浦

真空助浦抽气领域：

泵浦抽气领域

机械泵浦10-1 ~ 10-4 毫巴

扩散泵浦10-3 ~ 10-6 毫巴

涡轮泵浦10-3 ~ 10-9 毫巴

吸附泵浦10-3 ~ 10-4 毫巴

吸着泵浦10-4 ~ 10-10 毫巴

三、电浆技术在表表技术上的利用有那些?

(1)溅浆沉积：溅镀是利用高速的离子撞击固体靶材，使表表分子溅离并射到基材镀成一层薄膜，溅射离子的肇始动能约在100eV。常用的电浆气体为氩气，质量适当并且没有化学反映。

(2)电浆辅助化沉积：气相化学沉积的化学反映是在高温基材上进行，如此能力使气体前置物获得足够的能量反映。

(3)电浆聚合：聚合物或塑料薄膜最单一的披覆技术就是将其溶剂中，而后涂布于基板上。电浆聚合涂布法系将分子单体引发成电浆，经化学反映后形成一致密的聚合体并披覆在基板上，由于基材受到电浆的撞击，其附着性也很强。

(4)电浆蚀刻：湿式碱性蚀刻，这是最单一并且便宜的步骤，它的弊端是碱性蚀刻具晶面方向性，并且会产生下蚀的问题。

(5)电浆喷覆：在高温下运行的金属组件必要有陶瓷物披覆，以预防高温侵蚀的产生。

四、蒸镀的加热方式蕴含那几种?各拥有何特点?

加热方式分为：(1)电阻加热(2)感应加热(3)电子束加热(4)雷射加热(5)电弧加热

各拥有的特点：

(1)电阻加热：这是一种最单一的加热步骤，设备便宜、操作容易是其利益。

(2)感应加热：加热效能佳，升温急剧，并可加热大容量。

(3)电子束加热：这种加热步骤是把数千eV 之高能量电子，经磁场聚焦，直接撞击蒸发物加热，温度

能够高达30000C。而它的电子的起源有二：高温金属产生的热电子，另一种电子的起源为中空阴极放电。

(4)雷射加热：激光束可经由光学聚焦在蒸镀源上，产生部门瞬间高温使其逃离。最早使用的是脉冲红宝雷射，而后发展出紫表线准分子雷射。紫表线的利益是每一光子的能量远比红表线高，因而准分子雷射的功率密度甚高，用以加热蒸镀的职能和电子束类似。常被用来披覆成份复杂的化合物，镀膜的品质甚佳。它和电子束加热或溅射的过程有根基上的差距，准分子雷射脱离的是渺小的颗粒，后者则是以分子大局脱离。

(5)电弧加热：阴极电弧沉积的利益为：(1)蒸镀速度快，可达每秒1.0 微米

(2)基板不须加热

(3)可镀高温金属及陶瓷化合物

(4)镀膜密高且附着力佳

五、真空蒸镀可利用在那些产业?

重要产业大多利用于装璜、光学、电性、机械及防蚀方面等，现就比力常见者分述如下：

1.镜片的抗反射镀膜(MgO、MgF2、SiO2 等)，镜片置于半球支顶，一次可镀上百片以上。

2.金属、合金或化合物镀膜，利用于微电子当导线、电阻、光电职能蹬酌途。

3.镀铝或钽于绝缘物当电容之电极。

4.特殊合金镀膜MCrAlY 拥有耐热性抗氧化性，耐温达1100OC，可利用须耐高温环境的工件，如高速切削及成形加工、涡轮引擎叶片等。

5.镀金属于玻璃板供构筑物之装璜及防紫表线。

6.离子蒸镀镀铝，系以负高电压加在被镀件上，再把铝加热蒸发，其蒸气经由电子撞击离子化，而后镀到钢板上。

7.镀铝于胶膜，可供装璜或标签，且镀膜拥有金属感等。最大的用处就是包装，能够防潮、防空气等的渗入。

8.机械零件或刀磨具镀硬膜(TiC、TiN、Al2O3)这些超硬薄膜不只硬度高，可有效提高耐磨性，并且所需厚度剪幼，能切合工件高精度化的要求。

9.特殊合金薄片之造作。

10.镀多层膜于钢板，改善其机能。

11.镀硅于CdS 太阳电池，可增长其效能。

12.奈米粉末之造作，镀于冷基板上，使其不附着。

六、TiN 氮化钛镀膜拥有那些特点?

有以下的利益：

(1)抗磨损

(2)具亮丽的表观

(3)具安全性，可使用于表科及食品用具。

(4)具光滑作用，可削减磨擦。

(5)具防蚀职能

(6)可接受高温

七、CVD 化学气相沉积法反映步骤可分辨为那五个步骤?

(1)分歧成份气相前置反映物由主流气体进来，以扩散机造传输基板表表。梦想情况下，前置物在基板上的浓度是零，亦即在基板上立刻反映，现实上并非如此。

(2)前置反映物吸附在基板上，此时仍答理该前置物在基板上进行有限水平的表表横向移动。

(3)前置物在基板上进行化学反映，产生沉积物的化学分子，而后经积累成核、迁徙、成长等步骤，最后结合一陆续的膜。

(4)把有余的前置物以及未成核的气体天生物去吸附。

(5)被去吸附的气体，以扩散机造传输到主流气相，并经传送排出。

八、电浆辅助VCD 系统拥有何特色?

通常CVD 均是在高温的基板下产生沉积反映，若是以电浆引发气体，即所谓的电浆辅助CVD(Plasmaenhanced CVD 简称PECVD)，则基板温度能够大幅降低。然而通常薄层的光电镀膜或次微米线条，相当脆弱，容易受到电浆离子撞击的中伤，故PECVD 并不合适。

九、CVD 造程拥有那些优弊端?

利益：

(1)真空度要求不高，甚至不须真空，如热喷覆。

(2)高沉积速度，APCVD 能够达到1μm/min。

(3)相对于PVD，化学量论组成或合金的镀膜比力容易达成。

(4)镀膜的成份多样化，蕴含金属、非金属、氧化物、氮化物、碳化物、半导体、光电资料、聚合物以

及钻石薄膜等。

(5)能够在复杂状态的基材镀膜，甚至渗入多孔的陶瓷。

(6)厚度的均匀性优良， LPCVD 甚至可同时镀数十芯片。

弊端：

(1)热力学及化学反映机造不易相识或不甚相识。

(2)须在高温度下进行，有些基材不能接受，甚至和镀膜起作用。

(3)反映气体可能具侵蚀性、毒性或爆炸性，处置需格表幼心。

(4)反映天生物可能残存在镀膜，成为杂质。

(5)基材的遮蔽很难。

十、钻石资料拥有那些利益?可利用在那些产业上?

利益：硬度高、耐磨性高、低热胀率、散热能力优良、防蚀能力加>>>等等可利用在：声学产品、消费产品、生医产品、光学产品、超等磨料、航天产品、钻石造作、化学产品、

电子产品、机械产品。

十一、钻石薄膜通？墒褂媚切┎街枥椿竦?

近年来膜状的钻石合成技术突飞猛进。钻石膜的厚度，可自奈米至毫米。薄膜常以物理气相沉积的方

法天生。厚膜则多以化学气相沉积的步骤获得。

十二、试注明PVD 法成长钻石薄膜之个性?

PVD 沉积钻石时除撞击区的少数原子表，其它的碳原子乃在真空下，并且温度很低，因而常被以为是低压法。由于钻石在低压为介不变状态故PVD 法乃被归类为介不造成长钻石的步骤。但在成长钻石的撞击区碳原子所受的压力及温度都很高。由于高温影响的区域有限，因而钻石乃在非平衡状态下长出。在这种情况原子不易扩散，生出钻石的原子分列只是短程有序，但长程分列则含极多缺点，甚至也含大量杂质，故称为类钻碳。以PVD 法成长钻石或DLC 因基材温度很低，成长速度缓慢，通常只沉积极薄的一层。由于膜较薄，可附在复杂的工件表表上。镀DLC 膜时因工件不受高温影响，所以PVD沉积的DLC 用处宽泛，可用为模具涂层及硬盘护膜等。若要成长较厚的钻石膜，原子必须扩散至晶格内的不变地位，因而基材温度要提高，但也不能高到使生出的钻石转化成石墨。

十三、试注明CVD 法成长钻石薄膜之个性?

为使CVD 的钻石成长顺利，碳源常用已具钻石结构的甲烷。甲烷可视为以氢压出的单原子钻石。所以故煮饭时的煤气含大量悬浮的单原子钻石或DLC。甲烷分化时若氢原子可在左近半推半就的伴随，沉积出的碳可维持钻石的结构，并接合在钻石膜上而分歧再转化成石墨。

十四、使用CVD 法成长钻石薄膜，氢元素和碳元素的浓杜仔何沉要性?

CVD 成长钻石膜的瓶颈乃在预防碳氢化物形成石墨，因而氢原子应比碳源多好多。碳源浓度决定了钻石膜的成长速度，但碳源太高时氢原子会来不及守护钻石结构而使分化出的碳造成石墨。因而碳源太浓反而会降低转化成钻石的比率。碳源的浓度和温度决定了钻石随方向成长速度的差距，因而也决定了钻石的晶形。氢原子的浓度不仅决定了钻石膜是否能成长，也决定了钻石膜的质量。氢原子产生的比率不太受气体，但和温杜仔直接关联。随着热源温度的降低及距离的增大，氢原子的浓度也会急遽降落。

十五、何为化学气相蒸镀(CVD)?重要的优弊端有那些?

化学气相蒸镀乃使用一种或多衷禅体，在一加热的固体基材上产生化学反映，并镀上一层固态薄膜。

利益:

(1)真空度要求不高，甚至能够不必要真空，例如热喷覆

(2)沉积速度快，大气CVD 能够达到1μm/min

(3)与PVD 比力的话；Я柯圩槌苫蚝辖鸬亩颇そ先菀状锍

(4)镀膜的成份多样化，如金属、非金属、半导体、光电资料、钻石薄膜等等

(5)能够在复杂状态的基材镀膜，甚至渗入多孔的陶瓷

(6)厚度的均匀性优良，低压CVD 甚至能够同时镀数十芯片

弊端:

(1)热力学及化学反映机造不易相识或不甚相识

(2)必要在高温下进行，有些基材不能接受，甚至和镀膜产生作用

(3)反映气体可能具侵蚀性、毒性或爆炸性，处置时需幼心

(4)反映天生物可能残存在镀膜上，成为杂质

(5)基材的遮蔽很难

十六、优良的薄膜须具备那些个性?影响的成分有那些?

通俗的界说为在正常情况下，其利用职能不会失效。想要达到这个主张，通常而言这层薄膜必须拥有坚牢的附着力、很低的内应力、针孔密度很少、够强的机械机能、均匀的膜厚、以及足够的抗化学侵蚀性。薄膜的个性重要受到沉积过程、成膜前提、接口层的形成和基材的影响，随后的热处置亦表演沉要角色。

十七、沉积的薄膜有内应力的存在，其起源为何?

(1)薄膜和基材之间的晶格失配

(2)薄膜和基材之间的热膨胀系数差距

(3)晶界之间的互挤

十八、薄膜要有优良的附着力，必须拥有那些根基个性?

(1)接口层原子之间须有强的化学键结，最好是有化合物的形成或化学吸附，理吸附是不够的

(2)低的残存应力，这可能导因于镀膜和基材晶格或热膨胀系数的失配，也可能是薄膜自身存有杂质或

不良结构

(3)没有容易变形的表结构，如断层结构，拥有机械粗糙的表表是能够减低问题的恶化

(4)没有持久变质的问题，镀膜曝露在大气等的表在环境，若是自身没生氧化等化学反映，则镀膜天然

失去其职能

十九、膜厚的量测步骤有那些?

大体上可分为原位量测、离位量测两类

原位星测系指镀膜进行中量测，普遍使用在物理气相沉积，如微天平、光学、电阻量测。

离位量测系指镀膜实现后量测，对电镀膜的行使较为普遍，拥有相识电镀效能的主张，如质量、剖面计、扫描式电子显微镜。

二十、何为物理蒸镀?试简述其步骤?

物理蒸镀就是把物质加热挥发，而后将其蒸气沉积在预约的基材上。由于蒸发源须加热挥发，又是在真空中进行，故亦称为热蒸镀或真空蒸镀。

其可分为三个步骤

(1)凝态的物质被加热挥发成汽相

(2)蒸汽在具空中移动一段距离至基材

(3)蒸汽在基材上冷却凝固成薄膜